由于鎢銅材料具有(yǒ®λ& u)很(hěn)高(gāo)的(de)耐熱(rè)性和(hé)☆≤良好(hǎo)的(de)導熱(rè)導電(diànφ≠≤)性，同時(shí)又(yòu)與矽片、砷化(huà)镓及陶瓷材料相(xiàn±'☆g)匹配的(de)熱(rè)膨脹系數(shù)，故在半導體↔∑↔(tǐ)材料中得(de)到(dào)廣泛的(de)應用('≥§∑yòng)。适用(yòng)于與大(dà)功率器(qì)件(j∞♦↕iàn)封裝材料、熱(rè)沉材料、散熱(rè)元件('$€jiàn)、陶瓷以及砷化(huà)镓基座等。鎢銅電 ÷(diàn)子(zǐ)封裝和(hé)熱(rè)沉材料，既•₽≤•具有(yǒu)鎢的(de)低(dī)膨脹特性，又(yòu)具σ÷有(yǒu)銅的(de)高(gāo)導熱(rè)特性，其¥π熱(rè)膨脹系數(shù)和(hé)導熱(rè)導電(diàn)性能(₹£néng)可(kě)以通(tōng)過調整鎢銅的(de)成分(fēn÷☆)而加以改變，因而給鎢銅提供了(le)更廣的(de∏>¥ε)應用(yòng)範圍。由于鎢銅材料具有(yǒu)很(hěn)<≠高(gāo)的(de)耐熱(rè)性和(hé♥>★)良好(hǎo)的(de)導熱(rè)導電(₹< diàn)性，同時(shí)又(yòu)與矽片、砷化(huà)镓及陶 ¶ 瓷材料相(xiàng)匹配的(de)熱(rè)膨脹✔"系數(shù)，故在半導體(tǐ)材料中得(de)到(dàπ≤o)廣泛的(de)應用(yòng)。
鎢銅電(diàn)子(z÷φλ←ǐ)封裝和(hé)熱(rè)沉材料，既具有(yǒu)鎢的(de)♣®♣低(dī)膨脹特性，又(yòu)具有(yǒu)銅的(de)高(gāo)導¶γ$熱(rè)特性，其熱(rè)膨脹系數(shù)和 ε(hé)導熱(rè)導電(diàn)性能(néng)可(kě)σ"以通(tōng)過調整鎢銅的(de)成分(fēn)而♥♦加以改變，因而給鎢銅提供了(le)更廣的(de)應用(yòng)範圍。由于÷↑∑鎢銅材料具有(yǒu)很(hěn)高(gāo)的(d≥ e)耐熱(rè)性和(hé)良好(hǎo)的(de)導熱(rè©)導電(diàn)性，同時(shí)又(×↕yòu)與矽片、砷化(huà)镓及陶瓷材料$¶♦相(xiàng)匹配的(de)熱(rè)膨脹系數(shù)，↑δ故在半導體(tǐ)材料中得(de)到(dào)廣泛的(dε≈e)應用(yòng)。适用(yòng)于與大(dà)♥ ₹功率器(qì)件(jiàn)封裝材料、熱(rè)沉材料←♣、散熱(rè)元件(jiàn)、陶瓷以及砷化(huà)镓基座等♥↕©↕。
